 據(jù)最新全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果顯示，2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模（按供貨金額計算）比上年增長5.9％，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。
預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預(yù)測，2020年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模（按供貨金額計算）將達到294.5億美元。各類器件方面，預(yù)計功率模塊的增長率最高，在新一代汽車（HV及EV）、新能源設(shè)備及工廠設(shè)備等領(lǐng)域的普及有望擴大。
在新一代功率半導(dǎo)體SiC方面，以前主要是被用于二極管，而2013年起，一些晶體管也開始采用SiC。2014年下半年起，各元器件廠商開始利用直徑為6英寸（150mm）的SiC晶圓實施量產(chǎn)，預(yù)計2015～2016年成本將會降低，用途也會進一步擴大。矢野經(jīng)濟研究所預(yù)測，2020年新一代功率半導(dǎo)體的全球市場規(guī)模（按供貨金額計算）將在SiC功率半導(dǎo)體推動下達到28.2億美元。
此次調(diào)查的對象為功率半導(dǎo)體廠商、晶圓廠商及系統(tǒng)廠商，于2013年10月～2014年6月實施。涉及的器件包括功率MOSFET、IPD（IntelligentPowerDevice）、二極管、IGBT、功率模塊及雙極晶體管等。根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)，將硅功率半導(dǎo)體以及采用SiC及GaN等新一代材料的功率半導(dǎo)體的數(shù)據(jù)加在一起，計算出了市場規(guī)模。
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